Законы Украины

Новости Партнеров
 

Про затвердження Державної науково-технічної програми розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки

                    КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
 
                        П О С Т А Н О В А
                   від 15 жовтня 2004 р. N 1368
                               Київ
 
           Про затвердження Державної науково-технічної
           програми розвитку мікро- та оптоелектронних
                   технологій на 2005-2007 роки
 
 
     З метою     прискорення     розвитку    високих    наукоємних
конкурентоспроможних технологій в галузі мікро- та оптоелектроніки
Кабінет Міністрів України  п о с т а н о в л я є:
 
     1. Затвердити  Державну  науково-технічну  програму  розвитку
мікро- та  оптоелектронних  технологій  на  2005-2007   роки,   що
додається.
 
     2. Покласти  на  Національну академію наук функції державного
замовника Програми, затвердженої цією постановою.
 
     3. Затвердити  керівником  Програми  генерального   директора
науково-технологічного    комплексу    "Інститут    монокристалів"
Національної академії наук Семиноженка В.П.
 
 
     Прем'єр-міністр України                            В.ЯНУКОВИЧ
 
     Інд. 28
 
 
                                          ЗАТВЕРДЖЕНО
                             постановою Кабінету Міністрів України
                                  від 15 жовтня 2004 р. N 1368
 
                ДЕРЖАВНА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА
          розвитку мікро- та оптоелектронних технологій
                        на 2005-2007 роки
 
 
                       1. Загальна частина
 
     Ця Програма  спрямована  на  реалізацію  державної  стратегії
відродження  і  підтримки  вітчизняного  виробництва  та  розвитку
високих   наукоємних  конкурентоспроможних  технологій  у  галузях
промисловості,  зокрема  електронній,   виробництва   транспортних
засобів,  машино-  і приладобудування,  засобів систем інформації,
енергозберігаючих  технологій  на  основі  функціональної  силової
електроніки  тощо  як  найважливішої  умови  підвищення  добробуту
населення  та  досягнення  Україною  статусу   розвинутої   країни
відповідно  до  Програми  діяльності  Кабінету  Міністрів  України
(  n0001120-03  ), схваленої постановою Верховної Ради України від
17 квітня 2004 р. N 729 ( 729-15 ).
 
     У сучасній   економіці  розвинутих  країн  основоположними  є
наукоємні виробництва, серед яких провідне місце займає електронна
промисловість.
 
     Надвисокочастотна, мікро-  та оптоелектроніка має стратегічне
значення для економіки України,  оскільки вона визначає  технічний
рівень      промислової      і     побутової     продукції,     її
конкурентоспроможність,  стимулює розвиток сучасних  інформаційних
систем,  засобів  зв'язку,  будівництво  цивільних  та  військових
літаків тощо.  Обороноздатність  країни  також  потребує  високого
рівня  самозабезпечення  електронною  елементною  базою військової
техніки,  де використання зарубіжної електроніки неприпустиме. Усе
це  свідчить  про  виключну  важливість  для  майбутнього  України
інтенсифікації  процесів  розвитку  електронної  галузі,  які   за
останнє  десятиліття уповільнилися,  та потребує вирішення завдань
прискореного   розвитку   галузі,    зміцнення    економічної    і
технологічної незалежності.
 
                    2. Мета і основні завдання
 
     Метою Програми   є   налагодження   вітчизняного  виробництва
наукоємного електронного  технологічного  обладнання  та  сучасної
електронної   компонентної   бази   (далі   -   електронна  база),
забезпечення     пріоритетного     розвитку      мікроелектроніки,
мікромеханізації,     квантової,     нано-,     акусто-,    опто-,
магнітоелектроніки,  надвисокочастотної та інфрачервоної  техніки,
радіаційно стійкої електронної бази.
 
     Основними завданнями Програми є:
 
     розроблення та прискорене впровадження наукоємних технологій,
налагодження  на  цій  основі  виробництва   конкурентоспроможного
електронного  технологічного  обладнання  і  сучасної  електронної
компонентної бази новітнього покоління;
 
     налагодження виробництва високоефективних джерел світла;
 
     забезпечення необхідного  функціонального  і   технологічного
рівня електронної бази за рахунок використання прикладних розробок
вітчизняної науки;
 
     розроблення мікро- та оптоелектронних компонентів і  приладів
для сфери охорони здоров'я,  моніторингу навколишнього середовища,
запобігання тероризму;
 
     забезпечення розвитку      конкурентоспроможних      напрямів
твердотільної    надвисокочастотної    електроніки   міліметрового
діапазону.
 
     З метою виконання Програми розроблено заходи, що додаються.
 
                    3. Фінансове забезпечення
 
     Фінансування Програми   здійснюється   за   рахунок    коштів
державного бюджету, а також інших джерел.
 
     Загальний обсяг  коштів  на  фінансування  Програми становить
59,36 млн.  гривень,  з них з  державного  бюджету  -  56,71  млн.
гривень,  зокрема  у 2005 році - 21,54 млн.  гривень,  2006 році -
20,795 млн.,  2007 році - 14,375 млн.,  з інших джерел - 2,65 млн.
гривень.
 
                  4. Організаційне забезпечення
 
     З метою    забезпечення    ефективного   виконання   Програми
Національна академія наук  як  державний  замовник  здійснює  такі
заходи:
 
     укладає договори з виконавцями, передбаченими Програмою;
 
     здійснює контроль    за   виконанням   заходів   Програми   в
установлені строки,  досягненням передбачених цільових показників,
використанням фінансових,  матеріально-технічних та інших ресурсів
за призначенням;
 
     подає щороку  до  1  березня  Кабінетові  Міністрів   України
інформацію  про хід виконання Програми,  а після закінчення строку
її виконання - заключний звіт про одержані результати.
 
     Виконавцями заходів   Програми   є   інститути   Національної
академії наук.
 
                     5. Очікувані результати
 
     У результаті виконання Програми очікується:
 
     1) розробка  мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів
для потреб охорони здоров'я,  моніторингу зовнішнього  середовища,
запобігання тероризму, зокрема:
 
     інтегрованих електронних пристроїв для вимірювання потужності
дози   та   інтегральної   поглиненої    дози    ультрафіолетового
випромінювання в діапазонах A та B,  потужності дози в діапазоні C
(стерилізація біопрепаратів і медичного інструменту),  а також для
визначення  сонцезахисного  фактора  (SPF)  різних  видів тканин і
косметичних засобів;
 
     технологій одержання багатоелементних p-i-n фотодіодів  (16-,
32-  та  64-канальних)  для  лінійок  детекторів  у рентгенівських
інспекційних сканерах;
 
     технологій одержання фотодіодних багатоелементних структур  з
розміром   пікселя   200-250   мкм,  інтегрованою  електронікою  і
комутатором  для  лінійок  детекторів  з  поліпшеним   просторовим
розрізненням;
 
     детекторів радіації   на   фотодіодних   структурах   різного
призначення,  а саме: для використання в діапазонах енергій    від
30 кеВ  до  10  МеВ,  контролю  багажу,  вантажу,  легких і важких
автомобілів,   морських   і   авіаційних   контейнерів;   освоєння
дослідно-промислового  виробництва таких детекторів з параметрами,
що перевищують світовий рівень;
 
     енергоселективних сенсорів для  екологічного  і  промислового
моніторингу  тритію  та  сенсорів ультрафіолетової радіації нового
покоління  з   експлуатаційними   параметрами,   що   відповідають
сучасному рівню світових досягнень;
 
     технологій одержання   p-i-n   структури   на   різних  типах
кремнієвих кристалів;
 
     організаційних передумов   для   налагодження    промислового
виробництва   ультрафіолетових   дозиметрів   для  застосування  в
медичних закладах та населенням;
 
     2) створення    електронної    бази     для     інфрачервоної
мікрофотоелектроніки, зокрема:
 
     багатоелементних та    матричних    гібридних   інфрачервоних
фотоприймальних пристроїв,  які складаються з матриць фоточутливих
елементів   для   детектування  інфрачервоного  випромінювання  та
кремнієвих фокальних мікропроцесорів,  для зчитування  та  обробки
сигналів у фокальній площині;
 
     технологій виготовлення   основних  функціональних  елементів
фотоприймальних   пристроїв    (охолоджуваних    фотодіодних    та
неохолоджуваних  мікроболометричних матриць,  кремнієвих фокальних
процесорів (пристроїв зчитування інформації),  допоміжних приладів
і пристроїв);
 
     методів аналізу функціонування та побудови багатоелементних і
матричних фотоприймальних пристроїв;
 
     приладів та     засобів      метрології      багатоелементних
фотоприймальних пристроїв;
 
     3) налагодження          виробництва         високоефективних
напівпровідникових джерел світла, зокрема:
 
     удосконалення технології  вирощування  сапфіру   для   потреб
оптоелектроніки;
 
     впровадження технологій  виготовлення  сапфірових підкладок з
необхідною якістю поверхні;
 
     розроблення технологій та організація виробництва  ефективних
світлодіодів;
 
     створення високоефективних    інфрачервоних   випромінювачів,
повністю сумісних з кремнієвою технологією;
 
     4) забезпечення   розвитку   конкурентоспроможних    напрямів
твердотільної    надвисокочастотної    електроніки   міліметрового
діапазону довжин хвиль шляхом:
 
     збільшення довговічності  приладів  у   десятки   разів,   що
дозволить  збільшити  час активної експлуатації штучних супутників
Землі;
 
     поліпшення якості спектра генеруючих коливань;
 
     створення єдиної сучасної системи метрології і стандартизації
в електроніці;
 
     оснащення підприємств та науково-дослідних установ необхідним
фізико-хімічним   аналітичним   обладнанням,    розвитку    їхньої
діагностичної бази;
 
     створення центрів    фізико-хімічних    методів   діагностики
загального користування;
 
     розвитку діагностичних  методів,  які  будуть   забезпечувати
вимірювання  структурних,  оптичних  та електрофізичних параметрів
вихідних матеріалів електронної техніки;
 
     налагодження виробництва надвисокочастотної  елементної  бази
міліметрового   діапазону   (дискретні   елементи)   для  новітніх
малогабаритних  і  недорогих   систем   радіолокації,   навігації,
зв'язку, радарних сенсорів, медичної та наукової апаратури.
 
                    6. Контроль за виконанням
 
     Контроль за  виконанням  Програми  здійснює Кабінет Міністрів
України  шляхом  розгляду  щорічних   і   заключного   звітів   та
узагальненого висновку про кінцеві результати виконання Програми.
 
     Безпосередній контроль   за   виконанням   заходів  Програми,
ефективним  та  цільовим  використанням  коштів   її   виконавцями
здійснює Національна академія наук.
 
 
                                                         Додаток
                                                       до Програми
 
                              ЗАХОДИ
             щодо розвитку мікро- та оптоелектронних
                   технологій на 2005-2007 роки
 
                                                    (тис. гривень)
------------------------------------------------------------------
         Зміст заходу     |  Виконавці  |Обсяг  |  У тому числі
                          |             |фінан- |  з державного
                          |             |сування|бюджету за роками
                          |             |       |-----------------
                          |             |       | 2005| 2006| 2007
------------------------------------------------------------------
           I. Оптоелектронні пристрої для сфери охорони
          здоров'я, моніторингу навколишнього середовища
                     і запобігання тероризму
 
1.  Розробка               Інститут          450   200   200
    енергоселективних      сцинтиля-
    сенсорів               ційних
    ультрафіолетової       матеріалів
    радіації нового
    покоління на сполуках  Інститут          420   200   200
    A(в ступ. 2)B(в        мікроприладів
    ступ. 6)
    експлуатаційними
    параметрами, що
    відповідають сучасному
    рівню світових
    досягнень
 
2.  Створення інтегрованих       -"-         450   100   200   100
    електронних пристроїв
    для виміру потужності                    440   150   100   150
    дози та інтегральної
    поглиненої дози
    ультрафіолетового
    випромінювання в
    діапазоні A та B,
    потужності дози в
    діапазоні C
 
3.  Підготовка до                -"-         250   100    50    50
    організації
    промислового                             340   150    50   100
    виробництва
    ультрафіолетових
    дозиметрів для
    застосування в
    медичних закладах і
    населенням
 
4.  Відпрацювання          Інститут          750   400   150   150
    технології одержання   сцинтиля-
    p-i-n структур на      ційних
    основі різних за типом матеріалів
    кремнієвих кристалів
 
    Розроблення технології Інститут          750   300   200   200
    виробництва p-i-n      мікроприладів
    фотодіодів з
    параметрами, що
    не поступаються
    зарубіжним аналогам
 
5.  Розроблення технології       -"-         750   300   200   200
    одержання
    багатоелементних p-i-n                   750   400   100   200
    фотодіодів (16-, 32-
    та 64-канальних) для
    лінійок детекторів,
    придатних до
    застосування у
    рентгенівських
    інспекційних сканерах
 
6.  Розроблення технології       -"-         650   200   200   200
    одержання фотодіодних
    багатоелементних                         650   300   200   100
    структур із кроком
    200-250 мкм
    з інтегрованою
    електронікою і
    комутаторами для
    лінійок детекторів
    з поліпшеним
    просторовим
    розрізненням
 
7.  Створення детекторів   Інститут         2150  1000   500   500
    радіації на            сцинтиля-
    фотодіодних структурах ційних
    у діапазоні енергій    матеріалів
    від 30 кеВ до 8-10 МеВ
    для контролю багажу,
    морських та авіаційних
    контейнерів, легкових
    та вантажних
    автомобілів. Освоєння
    дослідно-промислового
    виробництва детекторів
 
8.  Розробка               Інститут         2150  1000   500   500
    енергоселективних      мікроприладів
    сенсорів для
    екологічного і
    промислового
    моніторингу тритію,
    що відповідають
    сучасному світовому
    рівню
 
              II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка
 
1.  Створення діодних      Інститут          250    80    90    80
    p-i-n структур         фізики
    у вузькозонному        напів-
    напівпровідниковому    провідників
    матеріалі
    ртуть-кадмій-телур     Інститут          450   150   150   150
    методом іонної         мікроприладів
    імплантації
 
2.  Розрахунок профілів    Інститут           50    20    15    15
    розподілу іонів,       фізики
    імплантованих у плівки напів-
    кадмій-ртуть-телур та  провідників
    кадмій-телур (аргон,
    водень, гелій, бор,
    неон)
 
3.  Дослідження процесів         -"-          50    20    15    15
    аморфізації захисного
    шару кадмій-телур та
    впливу аморфізації на
    характеристики діодів
 
4.  Формування                   -"-          50    20    15    15
    р(в ступ.+)-шарів в
    епітаксійних плівках
    кадмій-ртуть-телур
    шляхом імплантації
    іонів B(в ступ. +).
    Оптимізація режимів
    імплантації та відпалу
 
5.  Дослідження                  -"-          50    20    15    15
    деградаційних процесів
    електричних
    характеристик структур
    у природних умовах та
    під дією зовнішнього
    впливу акустичних
    навантажень у
    структурах
    кадмій-ртуть-телур,
    сформованих шляхом
    іонного травлення та
    іонної імплантації
 
6.  Відпрацювання          Інститут           50    20    15    15
    технології нанесення   фізики
    пасиваційних покриттів напів-
    кадмій-телур на        провідників
    поверхню фотоприймачів
    на основі
    кадмій-ртуть-телур.
    Розробка               Інститут          200    60    70    70
    апаратно-технічного    мікроприладів
    рішення введення
    ультразвуку в активну
    зону установки
    "гаряча стінка"
 
7.  Математичне            Інститут           50    20    15    15
    моделювання росту      фізики
    пасиваційних покриттів напів-
    на епітаксійні         провідників
    структури для
    інфрачервоної
    фотоелектроніки
 
8.  Розробка нових бром-         -"-          50    20    15    15
    та йодвиділяючих
    травильних композицій
    для хімічного
    полірування
    напівпровідникових
    матеріалів
    інфрачервоної техніки
    та створення нових
    композицій для
    пасивації їх поверхні
 
9.  Вибір компонентів            -"-          50    20    15    15
    травників, підбір їх
    співвідношення,
    оптимізація складів
    селективних травників
    та технологічних
    режимів травлення,
    розроблення методики
    визначення густини
    дислокацій тонких
    шарів твердих розчинів
    Cd(x)Hg(1-x)Te
 
10. Відпрацювання          Інститут           50    20    15    15
    методики пасивації     фізики
    поверхні твердих       напів-
    розчинів               провідників
    Cd(x)Hg(1-x)Te
    в різних сульфідних
    сумішах
 
11. Розроблення            Інститут           50    20    15    15
    технології             фізики
    виготовлення           напів-
    неохолоджуваних        провідників
    фоточутливих
    структур -             Інститут          150    50    50    50
    мікроболометричних     мікроприладів
    матриць на основі
    кремнію
 
12. Розроблення            Інститут          550   180   190   180
    архітектури та         мікроприладів
    елементної бази для
    побудови схем
    зчитування та
    дослідження їх
    фізико-технічних
    характеристик
 
13. Розроблення                  -"-         400   130   130   140
    технології
    виготовлення схем
    зчитування.
    Опрацювання
    технологічних режимів
    та маршруту
    виготовлення
    кремнієвих фокальних
    процесорів на базі
    КМОН-технології
    з проектними нормами
    не гірше 1,6 мкм,
    розробка
    нестандартного
    технологічного
    обладнання
 
14. Виготовлення дослідних Інститут          400   130   130   140
    зразків кремнієвих     мікроприладів
    схем зчитування для
    матричних та
    лінійчастих
    багатоелементних
    інфрачервоних
    фотоприймачів,
    виготовлення
    нестандартного
    технологічного
    обладнання.
    Розроблення методик
    тестування та
    обладнання для
    тестування параметрів
    схем зчитування
 
15. Виготовлення                 -"-         350   110   120   120
    обладнання для
    тестування схем
    зчитування та його
    метрологічна атестація
 
16. Дослідження                  -"-         200    65    70    65
    характеристик та
    випробування
    розроблених схем
    зчитування
 
17. Дослідження            Інститут          250    70    80    70
    характеристик схем     фізики
    зчитування при низьких напів-
    та наднизьких          провідників
    температурах
 
18. Дослідження                  -"-         300   100   100   100
    характеристик та
    випробування схем
    зчитування,
    гібридизованих
    з масивом
    фотоелементів
 
19. Розробка методів             -"-         200    70    70    60
    обробки сигналів
    з великого масиву
    фоточутливих елементів
    та створення
    алгоритмів побудови
    інфрачервоних
    зображень
 
20. Створення контактів до Інститут           50    15    20    15
    епітаксійних шарів     фізики
    кадмій-ртуть-телур.    напів-
                           провідників
 
    Формування             Інститут          250    80    80    90
    багатошарових          мікроприладів
    електричних контактів
    до лінійок
    фогоприймачів на
    основі HgCdTe та
    методом вакуумного
    напилення
 
21. Відпрацювання          Інститут           50    15    20    15
    технології створення   фізики
    індієвих стовпчиків на напів-
    схемах зчитування і    провідників
    лінійках фотоприймачів
 
22. Відпрацювання                -"-          50    15    20    15
    технології
    гібридизації лінійок
    фотоприймачів на
    структурах
    кадмій-ртуть-телур
    з кремнієвими схемами
    зчитування
 
23. Удосконалення                -"-         100    30    40    30
    лабораторного
    устаткування для
    виконання операції
    гібридизації,
    створення нових вузлів
    апаратури
    інфрачервоного
    діапазону
 
24. Відпрацювання операцій       -"-          50    15    20    15
    виготовлення
    невипрямляючих
    контактів і з'єднання
    фрагментів
    напівпровідникової
    мікроелектроніки та
    інфрачервоної оптики
    мікродротом (Au, Al)
 
25. Відпрацювання                -"-          50    15    20    15
    технології
    виготовлення
    сапфірових підкладок
    з токопровідними
    доріжками
 
26. Розробка та аналіз     Інститут           50    15    20    15
    ефективності та        фізики
    надійності клеєвих     напів-
    композицій для         провідників
    кріогенних температур
                           Інститут           50    15    20    15
                           мікроприладів
 
27. Розроблення технології Інститут          150    50    50    50
    та створення робочого  фізики
    місця оператора для    напів-
    виконання операцій     провідників
    збирання фоточутливих
    матриць у кріостат
 
28. Удосконалення існуючих       -"-          50    15    20    15
    та розробка нових
    зразків оптичних
    кріостатів з
    германієвим вхідним
    вікном та діафрагмою
 
29. Розробка нових               -"-          50    15    20    15
    фізико-технологічних
    рішень виготовлення
    інфрачервоних
    фотоприймальних
    пристроїв, пов'язаних
    з удосконаленням
    технологій збирання,   Інститут          250    90    80    80
    кріплення, розробкою   мікроприладів
    охолоджуваних
    інтерференційних
    фільтрів
 
30. Розробка               Інститут          100    30    40    30
    метрологічного         фізики
    забезпечення,          напів-
    вимірювання            провідників
    електричних параметрів
    схем зчитування        Інститут          150    50    50    50
    інформації з           мікроприладів
    багатоелементних
    фотодетекторів
 
31. Розробка               Інститут          100    30    40    30
    метрологічного         фізики
    забезпечення,          напів-
    вимірювання            провідників
    фотоелектричних
    параметрів
    багатоелементних
    фотоприймачів
    інфрачервоного
    діапазону
 
32. Виготовлення           Інститут          200    70    70    60
    автоматизованого       фізики
    високоточного          напів-
    вимірювального         провідників
    комплексу для
    проведення             Інститут          100    30    40    30
    метрологічної          мікроприладів
    атестації електричних
    та фотоелектричних
    параметрів схем
    зчитування,
    багатоелементних
    фотодіодних лінійок та
    фотоприймальних
    пристроїв
 
33. Дослідження шумів      Інститут          100    30    40    30
    багатоелементних       фізики
    інфрачервоних          напів-
    фотоприймачів та       провідників
    тепловізорів на їх
    основі.
    Розроблення методик
    вимірювання та
    апаратно-програмного
    заглушення шумів
 
34. Розробка високоточної        -"-         200    70    70    60
    апаратури та
    метрологічного
    забезпечення для
    проведення вимірювань
    виявної здатності та
    температури,
    еквівалентної шумам
    фотоприймальних
    пристроїв
    інфрачервоного
    діапазону
 
35. Створення та атестація Інститут          200    70    70    60
    метрологічного центру  фізики
    з вимірювання          напів-
    параметрів             провідників
    інфрачервоних
    фотоприймачів
 
36. Аналіз впливу донорних       -"-         100    30    40    30
    домішок різної
    хімічної природи на
    оптичні та електричні
    характеристики
    кристалів оптичного
    германію. Проведення
    контрольних вимірів
    параметрів зразків
 
37. Дослідження об'ємного        -"-         100    30    40    30
    розподілу донорних
    домішок у кристалах
    оптичного германію
    великої площини
    (діаметром до 230 мм).
    Одержання однорідних
    кристалів таких
    розмірів
 
38. Відпрацювання та       Інститут          500   100   100   300
    оптимізація            фізики
    технологічного         напів-
    маршруту та окремих    провідників
    процесів виготовлення
    функціональних         Інститут          400   150   150   100
    елементів та           мікроприладів
    фотоприймальних
    пристроїв у цілому
    на основі
    охолоджуваних діодних
    і неохолоджуваних
    мікроболометричних
    матриць
 
                III. Виробництво високоефективних
               електролюмінісцентних джерел світла
 
1.  Доопрацювання          Інститут         9000  4500  4500
    конструкції та         монокристалів
    виготовлення
    18 ростових установок
    типу "Горизонт 2М" для
    вирощування кристалів
    сапфіра для
    оптоелектроніки
 
2.  Проведення робіт з     Інститут         2000   600   600   700
    інженерно-технічного   монокристалів
    забезпечення нової
    ділянки для
    вирощування кристалів
    сапфіра
 
3.  Проведення                   -"-         900         450   450
    пусконалагоджувальних
    робіт 18 ростових
    установок типу
    "Горизонт 2М"
 
4.  Розроблення та               -"-         600         250   250
    впровадження у
    дослідно-промислове
    виробництво
    високорентабельної
    технології вирощування
    кристалів оптичного
    сапфіра в захисному
    газовому середовищі
    аргону
 
5.  Доопрацювання та             -"-         450         200   200
    впровадження у
    виробництво технології
    одержання сировини
    високої чистоти
    (Al(2)O(3) >(-)
    99,96%) з
    металургійного
    глинозему з
    використанням операції
    попереднього його
    проплавлення в умовах
    інтенсивної конвекції
    розплаву
 
6.  Організація серійного  Інститут          450   140   140   120
    випуску сапфіру для    монокристалів
    оптоелектроніки,
    придатного для
    виготовлення
    сапфірових підкладок
    діаметром до 6 дюймів
 
7.  Розробка, виготовлення       -"-        5000  2000  2000  1000
    та закупівля
    високопродуктивного
    обладнання для
    різання, шліфування,
    полірування та
    контролю якості
    сапфірових підкладок
    для оптоелектроніки
 
8.  Розроблення та               -"-         450   200   200
    впровадження у
    виробництво технології
    виготовлення
    сапфірових підкладок
    з необхідною якістю
    поверхні
 
9.  Розроблення та               -"-         350   150   150
    впровадження у
    виробництво методики
    корекції структурних
    та оптичних
    властивостей
    сапфірових підкладок
    (безградієнтний
    високотемпературний
    відпал у газовому
    середовищі з керованим
    відновним потенціалом)
 
10. Розроблення та               -"-         300   150   150
    впровадження лазерних
    методів обробки та
    маркування сапфірових
    елементів
 
11. Розроблення            Інститут         5400  2000  1500  1500
    конкурентоспроможної   мікроприладів
    технології та
    обладнання для
    світлодіодів і
    інтегральних
    оптоелектронних
    пристроїв на їх
    основі, дослідження
    ефективних перехідних
    шарів та організація
    виробництва
    гетероструктур
    світлодіодів
 
12. Відновлення кремнієвої       -"-        1100   300   400   300
    технології КМОН
    інтегральних схем на
    базі дослідного
    виробництва кристалів
    інституту
    мікроприладів
    НТК "Інститут
    монокристалів"
 
13. Розвиток сумісних з
    кремнієвими
    технологіями
    інтегральних
    технологій
    світловипромінювальних
    пристроїв:
 
    дослідження процесів         -"-        2000   400   800   800
    епітаксії
    гетероструктур на
    основі матеріалів
    A(в ступ. 3)B(в
    ступ. 5), які
    інтегруються з
    елементами на кремнії
 
    розроблення технології       -"-        2500   900   800   800
    та схемотехніки
    оптоелектронних
    інтегральних схем на
    Si/A(в ступ. 3)B(в
    ступ. 5)
 
    створення дільниць     Інститут         2000   400   800   800
    Si/A(в ступ. 3)B(в     мікроприладів
    ступ. 5)
    твердотільних джерел
    білого світла з
    мікропроцесорним
    керуванням
 
       IV. Напівпровідникова надвисокочастотна електроніка
               міліметрового діапазону довжин хвиль
 
1.  Розробка конструкцій,  Інститут         1070   300   300   300
    модернізація           фізики
    технології та          напів-
    організація            провідників
    виробництва
    параметричного ряду
    лавинопролітних діодів
    для діапазону частот
    30...140 ГГц
 
2.  Розробка конструкцій,        -"-         880   250   300   300
    модернізація
    технології та
    організація
    виробництва діодів
    Ганна для діапазону
    частот 30...100 ГГц
 
3.  Розроблення та               -"-         630   180   180   190
    впровадження у
    виробництво технології
    виготовлення
    параметричного ряду
    перемикаючих p-i-n
    діодів для діапазону
    1...100 ГГц
 
4.  Розробка та                  -"-         900   270   270   260
    впровадження у
    виробництво
    передавально-
    приймальних модулів
    для автомобільних
    радарних сенсорів у
    діапазоні частот
    77...78 ГГц на основі
    кремнієвих технологій
 
5.  Розробка та            Інститут          950   350   300   300
    впровадження у         фізики
    виробництво            напів-
    малогабаритних         провідників
    передавально-
    приймальних модулів
    імпульсного режиму
    роботи 8-мм діапазону
    з вихідною потужністю
    50...150 Вт для
    малогабаритних
    корабельних та
    вертолітних радарних
    систем
 
6.  Розробка та                  -"-         950   250   250   250
    впровадження у
    виробництво
    передавально-
    приймальних модулів
    3-мм діапазону на
    основі кремнієвих
    технологій для
    супершвидкісних
    радіорелейних систем
    зв'язку
    (P = 20...40 мВт)
 
7.  Розроблення та               -"-         150    50    50    50
    впровадження у
    виробництво
    іонно-плазмових
    технологій легування
    напівпровідників
 
8.  Розроблення та         Інститут          200    60    60    70
    впровадження у         фізики
    виробництво            напів-
    плазмохімічних та      провідників
    іонно-плазмових
    методів травлення      Інститут           50    20    15    15
    напівпровідників       ядерних
                           досліджень
 
9.  Розроблення та         Інститут          300   100   100   100
    впровадження у         фізики
    виробництво            напів-
    іонно-плазмових        провідників
    технологій формування
    високостабільних
    контактних систем
    та діелектричних шарів
 
10. Модернізація існуючої  Інститут          410   200   150
    технологічної бази для мікроприладів
    забезпечення розробки
    та виготовлення
    кремнієвих
    інтегральних
    надвисокочастотних
    структур та схем
 
11. Дослідження, розробка  Інститут          490   200   150   100
    та впровадження        мікроприладів
    молекулярно-променевої
    епітаксії
    гетероструктур на
    основі кремнію для
    створення
    надвисокочастотних
    інтегральних
    структур та схем
 
12. Дослідження і                -"-        1280   300   400   500
    розроблення технології
    МОС-гідридної та
    молекулярно-променевої
    епітаксії арсениду
    галію та твердих
    розчинів A(в ступ.
    3)B(в ступ. 5),
    виробництво
    епітаксійних структур
    для надвисокочастотних
    приладів
 
__________________________
    Усього за роками                             21540 20795 14375
 
    Разом                                  59360








Последние новости

 
Курсы НБ Украины
Валюта
USD26.38843
EUR29.52073
RUB0.41017
PLN6.93105
BYR
Реклама
Реклама



Наша кнопка